|
1-2(85) 2015 МАТЕМАТИКА
А.С. Шевченко
Численное решение задачи о переносе заряда в 2D кремниевом транзисторе MOSFET
Рассмотрена недавно предложенная гидродинамическая MEP-модель, представляющая собой квазилинейную систему уравнений, записанных в форме законов сохранения. Эти законы сохранения получены из системы моментных соотношений для уравнения переноса Больцмана. При этом для замыкания системы моментов в модели использован принцип максимума энтропии. Гидродинамическая модель будет использована нами в данной работе для нахождения стационарных решений, описывающих движение электронов в 2D кремниевом транзисторе MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) с наноканалом из оксида кремния. Рассматриваемая математическая модель в стационарном случае сводится к системе эллиптических квазилинейных уравнений. Для нахождения приближенных решений этих уравнений используем вычислительный алгоритм, основанный на методе установления, методе прямых и на использовании различных видов нестационарной регуляризации уравнений. С этой целью написан программный комплекс на языке Object Pascal в среде Delphi 6, реализующий вычислительный алгоритм. Приведены результаты полученных решений.
DOI 10.14258/izvasu(2015)1.2-34
Ключевые слова: гидродинамическая модель, 2D кремниевый транзистор MOSFET с наноканалом из оксида кремния, уравнение Пуассона, регуляризация, метод установления, метод прямых
Полный текст в формате PDF, 905Kb. Язык: Русский. ШЕВЧЕНКО Алеся Сергеевна
кандидат физико-математических наук, доцент Рубцовского института (филиала) Алтайского государственного университета (Рубцовск, Россия)
E-mail: ibragimova@rb.asu.ru
|