Представлено исследование релаксации наноструктурных соединений электромеханических наночипов переменного состава ZnS_1-xSe_x. Построены полупроводниковые наноэлектромеханические чипы ZnS и ZnSe, состоящие из 1000 атомов размером 5×5×5 элементарных ячеек в кристаллической структуре сфалерита. Методом аппроксимирующего квазичастичного функционала плотности получены значения парных межатомных электромеханических псевдопотенциалов Zn – S и Zn – Se. Устойчивость наночипов переменного состава ZnS_1-xSe_x исследована методом молекулярной механики. Показано, что в целом образование наноэлектромеханических чипов в матрице кристалла сфалерита состава ZnS_1-хSe_х незначительно изменяет полную энергию и межатомные расстояния. Образование непрерывных твердых растворов замещения на подрешетке B6 в наночипах соединений состава ZnS_1-хSe_х достаточно хорошо подчиняется закону Вегарда. Незначительные отклонения от закона Вегарда обусловлены трансформациями второй и третьей координационной сферы в наночипах при изменении концентрации компонента B6. При х = 0,25 и х = 0,75 преобладает нелинейный дестабилизирующий вклад с положительным отклонением полной энергии.