В рамках компьютерной имитации построены компьютерные модели квантовой релаксации систем арсенидов A³As и A²B⁴As₂, легированных марганцем, исследованы термодинамические условия устойчивости структурной однородности этих полупроводниковых систем методом молекулярной механики с учетом энтропийного фактора при различных температурах. Для легированных марганцем систем A³As и A²B⁴As₂ получены пределы концентраций легирующего элемента, обеспечивающие устойчивость заданной наноструктуры полупроводниковых соединений. Показано, что при Т = 0 К нет термодинамической стабильности у структурно однородных состояний легированных марганцем нанослоев полупроводников для всех исследованных соединений и концентраций легирующего элемента. Стабильность структурно однородных низколегированных марганцем нанослоев возрастает с повышением температуры и уменьшением концентрационной неоднородности распределения атомов марганца независимо от их концентрации для всех исследованных физико-химических условий релаксации магнитных полупроводников. Для структурно неоднородных нанослоев A³As : Mn и A²B⁴As₂: Mn при повышении температуры переход от однородных по концентрации марганца к неоднородным наносистемам сдвигается в область больших концентраций марганца.