| Журнал теоретических и прикладных исследований |
Архив журнала «Известия АлтГУ», начиная с 2017 г., размещен на новой версии сайта http://izvestiya.asu.ru
Актуальная информация о журнале размещена на новой версии сайта http://izvestiya.asu.ru
Print ISSN 1561-9443 On-line ISSN 1561-9451 |
|
3-2(79)  2013 ХИМИЯ
Ю. В. Терентьева, Л. В. Фомина, С. А. Безносюк
Компьютерное моделирование квантовой релаксации электромеханических наночипов состава A3B5:Mn
Приведены результаты, полученные в компьютерном эксперименте фемтосекундного процессинга нанослоев AlAs, GaAs, InAs, легированных Mn. Представлены кинетические кривые релаксации полупроводниковых A3B5:Mn нанослоев и влияние температуры на такие параметры указанных систем, как энергия релаксированного нанослоя, время релаксации и амплитуда флуктуации энергии исследуемых наносистем.
DOI 10.14258/izvasu(2013)3.2-44
Ключевые слова: компьютерное моделирование, квантовая релаксация, термополевые динамические флуктуации, полупроводники, легирование марганцем
Полный текст в формате PDF, 338Kb. Язык: Русский. ТЕРЕНТЬЕВА Юлия Владимировна
научный сотрудник НОЦ «Нанотехнологии», преподаватель кафедры физической и коллоидной химии Алтайского государственного университета (Барнаул, Россия)
E-mail: zyv1985@mail.ru ФОМИНА Лариса Валерьевна кандидат химических наук, доцент, доцент кафедры технологии электрохимических производств Ангарской государственной технологической академии (Ангарск, Россия)
E-mail: flvbaan@mail.ru БЕЗНОСЮК Сергей Александрович доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой физической и коллоидной химии Алтайского государственного университета (Барнаул, Россия)
E-mail: bsa1953@mail.ru
|
||
| ||
| ||