Изложены результаты компьютерного эксперимента по изучению процесса формирования нанопленок GaN путем замещения атомов мышьяка атомами азота в сфалеритной матрице GaAs. Рассчитаны энергетические характеристики нанопленок GaN на подложках GaAs разной ориентации. Показано, что процесс формирования требует затрат энергии в среднем порядка 200 кДж на моль атомов азота. Энергетически предпочтительной является поверхность GaAs (001). Вместе с тем поверхностное натяжение самого нанослоя GaN в гетероструктуре GaAs/GaN(111) меньше, чем в гетероструктуре GaAs/GaN(001). Это объясняется особенностью распределения координационных чисел топологии связей в исследованных гетероструктурах GaAs/GaN.

Ключевые слова: компьютерное моделирование, нитрид галлия, арсенид галлия, гетероструктура, нанопленки.