English Russian
Известия
Журнал
теоретических
и прикладных
исследований
 Алтайского государственного университета
Print ISSN 1561-9443
On-line ISSN 1561-9451
Список выпусков
Содержание 3(59) 2008
Биология
Химия
География
Редакционная коллегия
Форматы файлов полных текстов статей
 
3(59)2008
Химия

Предыдущий | Следующий
 
Ю.В. Земцова, С.А. Безносюк, М.С. Жуковский

Физико-химические основы создания нанослоевых спинтронных переходов

Спиновая электроника (спинтроника) – достаточно молодая область современной физики – притягивает всё большее количество исследователей многообещающим практическим применением. Устройства, созданные на основе спинтроники, обещают решить многие существующие и ожидаемые в ближайшем будущем проблемы традиционной микроэлектроники: энергонезависимость, уменьшение энергопотребления, увеличение плотности логических элементов и скорости обработки данных. Современные устройства микроэлектроники основаны на токе зарядов. Орудием спинтроники является ток, создаваемый электронами с однонаправленными спинами (спиновый ток). Предполагается, что устройства спинтроники будут иметь бoльшую скорость и меньшую энергию переключения. Эта область нанотехнологий обещает привести к созданию миниатюрных электронных устройств, принципиально отличных от нынешних, обладающих высоким быстродействием, малыми размерами и малым энергопотреблением. В данной работе приведены принципы работы спин-электронного транзистора на осн
ове ферромагнетиков и кремния.

Полный текст в формате PDF, 489Kb. Язык: русский.

ЗЕМЦОВА Юлия Владимировна
магистрант химического факультета Алтайского государственного университета
БЕЗНОСЮК Сергей Александрович
доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой физической и коллоидной химии химического факультета Алтайского государственного университета
ЖУКОВСКИЙ Марк Сергеевич
кандидат химических наук, доцент кафедры естествознания и системного анализа Алтайского государственного технического университета им. И.И. Ползунова
Печатное издание "Известия АлтГУ" © 1996-2010 Алтайский государственный университет.
Зарегистрировано Комитетом РФ по печати. Свидетельство о регистрации Г-0745. Все права защищены. Ни одна из частей журнала либо издание в целом не могут быть перепечатаны без письменного разрешения авторов или издателя.
По вопросам приобретения журнала обращаться в издательство АлтГУ по адресу:
656049, Россия, Барнаул, ул. Димитрова 66. Телефон +7 (3852) 366351.