В статье обсуждается механизм формирования когерентного сопряжения на границе полупроводник # халькогенид # металл при формировании выпрямляющих контактов металл VIII группы # полупроводник типа A^IIIB^V в условиях халькогенной пассивации поверхности полупроводника и электрохимического нанесения металла. Приведены экспериментально полученные электрофизические характеристики контактов Ni-GaAs n-типа и Rh-InP n-типа, а также модели строения границы GaAs # GaS(Se).