Анализируются экспериментальные данные зависимости фотопотенциала германия и соединений A_IIIB_V галлия и индия от свойств полупроводника (тип и концентрация легирующей примеси, ширина запрещенной зоны), состава электролита (рН, концентрация окислителей и восстановителей), вида освещения. Показано, что в темноте эмпирические значения электродных потенциалов полупроводников близки к термодинамическим, рассчитанным по энергиям Гиббса для реакций с участием оксидов низших степеней окисления: GeO, Ca₂O, In(OH)₂ и В(0); для них значение стандартных потенциалов максимально. При освещении потенциалы невырожденных полупроводников n-типа приближаются к теоретически рассчитанным значениям для реакций с участием их оксидов в более высокой степени окисления: GeO₂, Ga₂O₃, In₂O₃ и В₂О₃. Для них стандартный потенциал заметно меньше.