Научный журнал "Известия АГУ". 1996 №1(1). Раздел Химия.

Журнал
теоретических
и прикладных
исследований

Алтайского государственного университета

Print ISSN 1561-9443
On-line ISSN 1561-9451

Список выпусков
	Содержание 1(1) 1996
		Биология
		Химия
		География
		Информатика
		Математика
		Физика

Редакционная коллегия

Форматы файлов полных текстов статей

1(1)

1996

Предыдущий | Следующий

В.А. Батенков, Л.В. Фомина, Я.Г. Панов

Электроосаждение иридия на арсенид галлия

Используя метод поляризационных кривых и электролиз при различных плотностях тока, изучено электроосаждение иридия на GaAs из электролитов, содержащих этилендиаминтетраацетат и сульфаминовую кислоту. Лучшие по качеству иридиевые покрытия получены электроосаждением при плотности тока 2...4 мА/см² , температуре 60^o С из электролита, содержащего 7,2 г/л иридия и 50 г/л сульфаминовой кислоты.

Полный текст в формате PDF, 130Kb. Язык: русский.

БАТЕНКОВ Владислав Александрович: кандидат химических наук, доцент, профессор кафедры физхимии Алтайского государственного университета

Печатное издание "Известия АлтГУ" © 1996-2010 Алтайский государственный университет.
Зарегистрировано Комитетом РФ по печати. Свидетельство о регистрации Г-0745. Все права защищены. Ни одна из частей журнала либо издание в целом не могут быть перепечатаны без письменного разрешения авторов или издателя.
По вопросам приобретения журнала обращаться в издательство АлтГУ по адресу:
656049, Россия, Барнаул, ул. Димитрова 66. Телефон +7 (3852) 366351.